Infineon Technologies - IPB033N10N5LFATMA1

KEY Part #: K6417431

IPB033N10N5LFATMA1 Τιμολόγηση (USD) [31015τεμ]

  • 1 pcs$1.32879
  • 1,000 pcs$1.10457

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB033N10N5LFATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V D2PAK-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB033N10N5LFATMA1. Το IPB033N10N5LFATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB033N10N5LFATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB033N10N5LFATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB033N10N5LFATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V D2PAK-3
Σειρά : OptiMOS™-5
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.1V @ 150µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 102nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 50V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 179W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.

  • IXKP13N60C5M

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP.