Toshiba Semiconductor and Storage - TK12A80W,S4X

KEY Part #: K6417349

TK12A80W,S4X Τιμολόγηση (USD) [29783τεμ]

  • 1 pcs$1.52041
  • 50 pcs$1.22162
  • 100 pcs$1.05595
  • 500 pcs$0.85506
  • 1,000 pcs$0.72114

Αριθμός εξαρτήματος:
TK12A80W,S4X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W,S4X. Το TK12A80W,S4X μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK12A80W,S4X, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK12A80W,S4X Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TK12A80W,S4X
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Σειρά : DTMOSIV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 570µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 300V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 45W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220SIS
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.