BYG21M-E3/TR Τιμολόγηση (USD) [675536τεμ]
- 1 pcs$0.05475
- 1,800 pcs$0.05098
- 3,600 pcs$0.04673
- 5,400 pcs$0.04390
- 12,600 pcs$0.04106
- 45,000 pcs$0.03776
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BYG21M-E3/TR
- Κατασκευαστής:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BYG21M-E3/TR. Το BYG21M-E3/TR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYG21M-E3/TR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
BYG21M-E3/TR Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
BYG21M-E3/TR
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Avalanche
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
1000V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1.5A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.6V @ 1.5A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
120ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
FFD08S60S-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier
-
BAS16
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns
-
-
-
VS-8EVH06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 8A SlimDPAK FRED
Hot Parts
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54