Αριθμός εξαρτήματος :
STB24NM65N
Κατασκευαστής :
STMicroelectronics
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
70nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
160W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D2PAK
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB