Infineon Technologies - IPB80N06S209ATMA1

KEY Part #: K6407263

[8622τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPB80N06S209ATMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA1. Το IPB80N06S209ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB80N06S209ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB80N06S209ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPB80N06S209ATMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 125µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 80nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2360pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 190W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3-2
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.