IXYS - IXFT52N30Q

KEY Part #: K6404066

IXFT52N30Q Τιμολόγηση (USD) [2139τεμ]

  • 30 pcs$6.81631

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT52N30Q
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορ - SCRs and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFT52N30Q. Το IXFT52N30Q μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFT52N30Q, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT52N30Q Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFT52N30Q
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 300V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 360W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-268
Πακέτο / Θήκη : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

  • IXTY55N075T

    IXYS

    MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

  • HUF75829D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.