Infineon Technologies - IPU50R950CEBKMA1

KEY Part #: K6403863

[2210τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPU50R950CEBKMA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPU50R950CEBKMA1. Το IPU50R950CEBKMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPU50R950CEBKMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPU50R950CEBKMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPU50R950CEBKMA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
    Σειρά : CoolMOS™ CE
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 1.2A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 231pF @ 100V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 34W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO251-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.