Infineon Technologies - IPB031NE7N3GATMA1

KEY Part #: K6418173

IPB031NE7N3GATMA1 Τιμολόγηση (USD) [54322τεμ]

  • 1 pcs$0.71979
  • 1,000 pcs$0.66042

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB031NE7N3GATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1. Το IPB031NE7N3GATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB031NE7N3GATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB031NE7N3GATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB031NE7N3GATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 75V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 155µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 117nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 8130pF @ 37.5V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 214W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3-2
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPH6354-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

  • DMP6110SVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFS7437TRL7PP

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • TK6A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.

  • TK9A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS.