Infineon Technologies - IRF7453TRPBF

KEY Part #: K6411574

[13744τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRF7453TRPBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Θυρίστορες - TRIAC ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF7453TRPBF. Το IRF7453TRPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF7453TRPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7453TRPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRF7453TRPBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 250V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

    • IRFR3303PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 33A DPAK.

    • IRFR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2407PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2405PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

    • IRFR2405TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.