Infineon Technologies - FZ1800R17HE4B9HOSA2

KEY Part #: K6532846

FZ1800R17HE4B9HOSA2 Τιμολόγηση (USD) [93τεμ]

  • 1 pcs$377.87607

Αριθμός εξαρτήματος:
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MODULE IGBT IHMB190-2.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FZ1800R17HE4B9HOSA2. Το FZ1800R17HE4B9HOSA2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FZ1800R17HE4B9HOSA2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1800R17HE4B9HOSA2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FZ1800R17HE4B9HOSA2
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MODULE IGBT IHMB190-2
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Single Switch
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1700V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 1800A
Ισχύς - Μέγ : 11500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 1800A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 145nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.