Infineon Technologies - FS50R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6532688

[1083τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FS50R07N2E4B11BOSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FS50R07N2E4B11BOSA1. Το FS50R07N2E4B11BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FS50R07N2E4B11BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R07N2E4B11BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FS50R07N2E4B11BOSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
    Σειρά : EconoPACK™ 2
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος IGBT : Trench Field Stop
    Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
    Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 650V
    Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 70A
    Ισχύς - Μέγ : 190W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
    Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
    Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
    Εισαγωγή : Standard
    NTC Thermistor : Yes
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
    Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
    Πακέτο / Θήκη : Module
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

    • A2C35S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.