Αριθμός εξαρτήματος :
1N5408G R0G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
-
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 3A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
DO-201AD, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-201AD
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C