Vishay Semiconductor Diodes Division - SS2H9HE3/5BT

KEY Part #: K6446676

[1684τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SS2H9HE3/5BT
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division SS2H9HE3/5BT. Το SS2H9HE3/5BT μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SS2H9HE3/5BT, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS2H9HE3/5BT Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SS2H9HE3/5BT
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 90V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 2A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 790mV @ 2A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 90V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-214AA, SMB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AA (SMB)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF04PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SUF30G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 3A P600.