Rohm Semiconductor - RQ3E100MNTB1

KEY Part #: K6405099

RQ3E100MNTB1 Τιμολόγηση (USD) [222668τεμ]

  • 1 pcs$0.18363
  • 3,000 pcs$0.18272

Αριθμός εξαρτήματος:
RQ3E100MNTB1
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1. Το RQ3E100MNTB1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RQ3E100MNTB1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ3E100MNTB1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RQ3E100MNTB1
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 9.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-HSMT (3.2x3)
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMP6110SVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET BVDSS 41V 60V TSOT26.

  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR6215TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFR4620TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • R6030KNXC7

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM.

  • SI2303-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-23 PACKAGE.