Infineon Technologies - IPI037N08N3GHKSA1

KEY Part #: K6407224

[1047τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPI037N08N3GHKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPI037N08N3GHKSA1. Το IPI037N08N3GHKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPI037N08N3GHKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI037N08N3GHKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPI037N08N3GHKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 80V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.75 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 155µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 117nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 8110pF @ 40V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 214W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.

    • IPA60R250CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3.