GeneSiC Semiconductor - 1N5832R

KEY Part #: K6425480

1N5832R Τιμολόγηση (USD) [4916τεμ]

  • 1 pcs$8.81275
  • 100 pcs$5.79996

Αριθμός εξαρτήματος:
1N5832R
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5. Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 40A Schottky Rectifier
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N5832R. Το 1N5832R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N5832R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5832R Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N5832R
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky, Reverse Polarity
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 20V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 40A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 520mV @ 40A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 20mA @ 10V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AB, DO-5, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-5
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T