LL4150-M-08 Τιμολόγηση (USD) [3225988τεμ]
- 1 pcs$0.01147
- 12,500 pcs$0.01080
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LL4150-M-08
- Κατασκευαστής:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE GENPURP MINIMELFe2M
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division LL4150-M-08. Το LL4150-M-08 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το LL4150-M-08, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
LL4150-M-08 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
LL4150-M-08
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
600mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 200mA
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100nA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOD-80 MiniMELF
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
175°C (Max)
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Hot Parts
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97