Vishay Semiconductor Diodes Division - BY229B-600HE3/45

KEY Part #: K6445948

[1934τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BY229B-600HE3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BY229B-600HE3/45. Το BY229B-600HE3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BY229B-600HE3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BY229B-600HE3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BY229B-600HE3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.85V @ 20A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 145ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 600V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-8EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

    • VS-6EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

    • VS-8EWF12STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-15EWH06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

    • VS-8EWS08STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VT3080S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH