Infineon Technologies - IPB35N12S3L26ATMA1

KEY Part #: K6420026

IPB35N12S3L26ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [152774τεμ]

  • 1 pcs$0.24211
  • 1,000 pcs$0.19747

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB35N12S3L26ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL100.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB35N12S3L26ATMA1. Το IPB35N12S3L26ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB35N12S3L26ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB35N12S3L26ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB35N12S3L26ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CHANNEL100
Σειρά : *
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : -
Τεχνολογία : -
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : -
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -
Τύπος συναρμολόγησης : -
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
Πακέτο / Θήκη : -

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει