Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON7405_001

KEY Part #: K6412137

[13549τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    AON7405_001
    Κατασκευαστής:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7405_001. Το AON7405_001 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το AON7405_001, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AON7405_001 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : AON7405_001
    Κατασκευαστής : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Περιγραφή : MOSFET
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta), 50A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 51nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±25V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2940pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 6.25W (Ta), 83W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-DFN-EP (3.3x3.3)
    Πακέτο / Θήκη : 8-PowerWDFN

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.