Αριθμός εξαρτήματος :
TPH4R50ANH,L1Q
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
58nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SOP Advance (5x5)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerVDFN