Αριθμός εξαρτήματος :
TSM6N60CH C5G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
20.7nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1248pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
89W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-251 (IPAK)
Πακέτο / Θήκη :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA