LSIC2SD120A10 Τιμολόγηση (USD) [10638τεμ]
- 1 pcs$3.87375
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LSIC2SD120A10
- Κατασκευαστής:
- Littelfuse Inc.
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A 2-lead GEN2 SiC
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Littelfuse Inc. LSIC2SD120A10. Το LSIC2SD120A10 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το LSIC2SD120A10, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
LSIC2SD120A10 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
LSIC2SD120A10
Κατασκευαστής :
Littelfuse Inc.
Περιγραφή :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2
Σειρά :
Gen2
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
1200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
28A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.8V @ 10A
Ταχύτητα :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100µA @ 1200V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
582pF @ 1V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
TO-220-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220-2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 175°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Hot Parts
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18