Αριθμός εξαρτήματος :
IPN60R360P7SATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
13nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-SOT223