Αριθμός εξαρτήματος :
IPD80R450P7ATMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 220µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
24nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 500V
FET χαρακτηριστικό :
Super Junction
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
73W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63