Infineon Technologies - IPP04CN10NG

KEY Part #: K6408497

[607τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPP04CN10NG
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP04CN10NG. Το IPP04CN10NG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP04CN10NG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP04CN10NG Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPP04CN10NG
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 210nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 13800pF @ 50V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • TP0610KL-TR1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FDD6N50FTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK.

    • 2SK3068(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM.

    • 2SK2993(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM.

    • RDX120N50FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM.

    • RDX100N60FU6

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM.