Αριθμός εξαρτήματος :
IXKC19N60C5
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
70nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό :
Super Junction
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
ISOPLUS220™
Πακέτο / Θήκη :
ISOPLUS220™