IXYS - IXTP32N65XM

KEY Part #: K6395091

IXTP32N65XM Τιμολόγηση (USD) [22346τεμ]

  • 1 pcs$2.03895
  • 50 pcs$2.02881

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP32N65XM
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 14A TO-220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTP32N65XM. Το IXTP32N65XM μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTP32N65XM, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP32N65XM Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTP32N65XM
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2206pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220-3
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3