Αριθμός εξαρτήματος :
SQD10N30-330H_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
300V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
47nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2190pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
107W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252AA
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63