Infineon Technologies - FP50R07N2E4BOSA1

KEY Part #: K6533381

FP50R07N2E4BOSA1 Τιμολόγηση (USD) [1212τεμ]

  • 1 pcs$35.70236

Αριθμός εξαρτήματος:
FP50R07N2E4BOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE VCES 600V 50A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies FP50R07N2E4BOSA1. Το FP50R07N2E4BOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FP50R07N2E4BOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP50R07N2E4BOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FP50R07N2E4BOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE VCES 600V 50A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : Trench Field Stop
Διαμόρφωση : Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 650V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 70A
Ισχύς - Μέγ : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 3.1nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : Yes
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT200GN60JDQ4

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 283A 682W SOT227.

  • MG12400D-BN2MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 1200V 580A 1925W PKG D.

  • MG1275S-BA1MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 1200V 105A 630W PKG S.

  • FP35R12KT4B15BOSA1

    Infineon Technologies

    IGBT MODULE VCES 1200V 35A.