IXYS - IXTH50N25T

KEY Part #: K6417016

IXTH50N25T Τιμολόγηση (USD) [23039τεμ]

  • 1 pcs$1.97753
  • 120 pcs$1.96769

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTH50N25T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTH50N25T. Το IXTH50N25T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTH50N25T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH50N25T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTH50N25T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 400W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247 (IXTH)
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.