Αριθμός εξαρτήματος :
SQJ956EP-T1_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26.7 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
30nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1395pF @ 30V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SO-8 Dual