Vishay Siliconix - SQJ968EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525294

SQJ968EP-T1_GE3 Τιμολόγηση (USD) [178202τεμ]

  • 1 pcs$0.20756
  • 3,000 pcs$0.17541

Αριθμός εξαρτήματος:
SQJ968EP-T1_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3. Το SQJ968EP-T1_GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SQJ968EP-T1_GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ968EP-T1_GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SQJ968EP-T1_GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 714pF @ 30V
Ισχύς - Μέγ : 42W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TA)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει