IXYS - IXTK170P10P

KEY Part #: K6398457

IXTK170P10P Τιμολόγηση (USD) [5986τεμ]

  • 1 pcs$8.32087
  • 10 pcs$7.19663
  • 100 pcs$6.11714

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTK170P10P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 170A TO-264.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTK170P10P. Το IXTK170P10P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTK170P10P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK170P10P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTK170P10P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
Σειρά : PolarP™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 12600pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 890W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-264 (IXTK)
Πακέτο / Θήκη : TO-264-3, TO-264AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • TK10A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS.

  • TK1K9A60F,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-.