Αριθμός εξαρτήματος :
SQS481ENW-T1_GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
Σειρά :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.095 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
11nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
385pF @ 75V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
62.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8