Αριθμός εξαρτήματος :
SIR122DP-T1-RE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Σειρά :
TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
80V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
44nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1950pF @ 40V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SO-8