WeEn Semiconductors - BYC30W-1200PQ

KEY Part #: K6445932

[1939τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BYC30W-1200PQ
    Κατασκευαστής:
    WeEn Semiconductors
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2. Rectifiers BYC30W-1200PQ/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ. Το BYC30W-1200PQ μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYC30W-1200PQ, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYC30W-1200PQ Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BYC30W-1200PQ
    Κατασκευαστής : WeEn Semiconductors
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 1200V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 30A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 3.3V @ 30A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 65ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 250µA @ 1200V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : TO-247-2
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247-2
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 175°C (Max)
    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-8EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

    • VS-6EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

    • VS-8EWF12STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-15EWH06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

    • VS-8EWS08STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VT3080S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH