Infineon Technologies - D251N08BXPSA1

KEY Part #: K6445952

[1932τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    D251N08BXPSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 800V 255A.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies D251N08BXPSA1. Το D251N08BXPSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το D251N08BXPSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    D251N08BXPSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : D251N08BXPSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 800V 255A
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 800V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 255A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : -
    Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 30mA @ 800V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Stud Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-205AA, DO-8, Stud
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 180°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-8EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

    • VS-6EWL06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

    • VS-8EWF12STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VS-15EWH06FNTR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

    • VS-8EWS08STR-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

    • VT3080S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH