Microsemi Corporation - UES1002

KEY Part #: K6440248

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation UES1002. Το UES1002 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το UES1002, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : UES1002

Κατασκευαστής : Microsemi Corporation

Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Τύπος διόδου : Standard

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 975mV @ 1A

Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 25ns

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 2µA @ 100V

Χωρητικότητα @ Vr, F : -

Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole

Πακέτο / Θήκη : A, Axial

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

IDB30E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
IDB30E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.
ES2AHM3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
MBR20100

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.
IDD06E60BUMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.
IDP30E65D2XKSA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS

Hot Parts