Αριθμός εξαρτήματος :
FDB2552
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta), 37A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
51nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-263AB
Πακέτο / Θήκη :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB