Infineon Technologies - IRL540NLPBF

KEY Part #: K6412011

[13593τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRL540NLPBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 100V 36A TO-262.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRL540NLPBF. Το IRL540NLPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRL540NLPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL540NLPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRL540NLPBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 74nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±16V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.8W (Ta), 140W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-262
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR18N15DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.