Αριθμός εξαρτήματος :
FDMS86163P
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7.9A (Ta), 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
59nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4085pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-PQFN (5x6)
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerTDFN