Αριθμός εξαρτήματος :
ZXMN2A04DN8TA
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA (Min)
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
22.1nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1880pF @ 10V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SOP