Vishay Siliconix - SIA921EDJ-T4-GE3

KEY Part #: K6525435

SIA921EDJ-T4-GE3 Τιμολόγηση (USD) [361938τεμ]

  • 1 pcs$0.10270
  • 3,000 pcs$0.10219

Αριθμός εξαρτήματος:
SIA921EDJ-T4-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIA921EDJ-T4-GE3. Το SIA921EDJ-T4-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIA921EDJ-T4-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA921EDJ-T4-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIA921EDJ-T4-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 P-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
Ισχύς - Μέγ : 7.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει