Infineon Technologies - SPB80N03S2L-06 G

KEY Part #: K6409516

[255τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SPB80N03S2L-06 G
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SPB80N03S2L-06 G. Το SPB80N03S2L-06 G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SPB80N03S2L-06 G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB80N03S2L-06 G Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SPB80N03S2L-06 G
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 80µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 68nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2530pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 150W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO263-3-2
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FCD620N60ZF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

    • RFD3055LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • FCD850N80Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

    • FCD5N60TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

    • FDD6N50TM-WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • FDD10AN06A0

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.