IXYS - IXTT88N30P

KEY Part #: K6415978

IXTT88N30P Τιμολόγηση (USD) [11044τεμ]

  • 1 pcs$4.12476
  • 30 pcs$4.10424

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTT88N30P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 88A TO-268.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTT88N30P. Το IXTT88N30P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTT88N30P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT88N30P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTT88N30P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
Σειρά : PolarHT™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 300V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 88A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6300pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 600W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-268
Πακέτο / Θήκη : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.