IXYS - IXFK32N100P

KEY Part #: K6395696

IXFK32N100P Τιμολόγηση (USD) [6127τεμ]

  • 1 pcs$7.77384
  • 25 pcs$7.73517

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFK32N100P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFK32N100P. Το IXFK32N100P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFK32N100P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK32N100P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFK32N100P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
Σειρά : HiPerFET™, PolarP2™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 14200pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 960W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-264AA (IXFK)
Πακέτο / Θήκη : TO-264-3, TO-264AA