IXYS - IXFR64N50Q3

KEY Part #: K6396479

IXFR64N50Q3 Τιμολόγηση (USD) [4329τεμ]

  • 1 pcs$11.50837
  • 10 pcs$10.64524
  • 100 pcs$9.09161

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFR64N50Q3
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFR64N50Q3. Το IXFR64N50Q3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFR64N50Q3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR64N50Q3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFR64N50Q3
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 45A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 6950pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOPLUS247™
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMN2028UVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.

  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.