Infineon Technologies - IPB042N03LGATMA1

KEY Part #: K6399812

IPB042N03LGATMA1 Τιμολόγηση (USD) [120210τεμ]

  • 1 pcs$0.30769

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB042N03LGATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB042N03LGATMA1. Το IPB042N03LGATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB042N03LGATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB042N03LGATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB042N03LGATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D²PAK (TO-263AB)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.