Infineon Technologies - BSC670N25NSFDATMA1

KEY Part #: K6418490

BSC670N25NSFDATMA1 Τιμολόγηση (USD) [65866τεμ]

  • 1 pcs$0.59364
  • 5,000 pcs$0.54461

Αριθμός εξαρτήματος:
BSC670N25NSFDATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSC670N25NSFDATMA1. Το BSC670N25NSFDATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSC670N25NSFDATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC670N25NSFDATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSC670N25NSFDATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2410pF @ 125V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.